APT80GA90LD40
Transistor: IGBT; PT; 900V; 80A; 625W; TO264
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APT80GA90LD40
Symbol TME:
APT80GA90LD40
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Transistor-Typ | IGBT | |
Technologie | POWER MOS 8®, PT | |
Kollektor-Emitter-Spannung | 900V | |
Kollektor-Emitter-Strom | 80A | |
Verlustleistung | 625W | |
Gehäuse | TO264 | |
Gate - Emitter Spannung | ±30V | |
Kollektorstrom im Impuls | 239A | |
Montage | THT | |
Gate-Ladung | 200nC | |
Verpackungs-Art | Tube | |
Anschaltzeit | 49ns | |
Ausschaltzeit | 320ns | |
Eigenschaften von Halbleiterelementen | integrated anti-parallel diode |
Bruttogewicht6 g
Zertifikate
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