APT80GP60B2G
Transistor: IGBT; PT; 600V; 100A; 1041W; T-Max
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APT80GP60B2G
Symbol TME:
APT80GP60B2G
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Transistor-Typ | IGBT | |
Technologie | POWER MOS 7®, PT | |
Kollektor-Emitter-Spannung | 600V | |
Kollektor-Emitter-Strom | 100A | |
Verlustleistung | 1041W | |
Gehäuse | T-Max | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 330A | |
Montage | THT | |
Gate-Ladung | 280nC | |
Verpackungs-Art | Tube | |
Anschaltzeit | 69ns | |
Ausschaltzeit | 233ns |
Bruttogewicht6 g
Zertifikate
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