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Hersteller	MICROCHIP TECHNOLOGY
Transistor-Typ	IGBT
Technologie	POWER MOS 7®, PT
Kollektor-Emitter-Spannung	600V
Kollektor-Emitter-Strom	100A
Verlustleistung	1041W
Gehäuse	T-Max
Gate - Emitter Spannung	±20V
Kollektorstrom im Impuls	330A
Montage	THT
Gate-Ladung	280nC
Verpackungs-Art	Tube
Anschaltzeit	69ns
Ausschaltzeit	233ns

APT80GP60B2G

Transistor: IGBT; PT; 600V; 100A; 1041W; T-Max

Technische Daten

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke