APT85GR120L
Transistor: IGBT; NPT; 1,2kV; 85A; 962W; TO264
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APT85GR120L
Symbol TME:
APT85GR120L
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Transistor-Typ | IGBT | |
Technologie | NPT, POWER MOS 8® | |
Kollektor-Emitter-Spannung | 1,2kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 85A | |
Verlustleistung | 962W | |
Gehäuse | TO264 | |
Gate - Emitter Spannung | ±30V | |
Kollektorstrom im Impuls | 340A | |
Montage | THT | |
Gate-Ladung | 0,49µC | |
Verpackungs-Art | Tube | |
Anschaltzeit | 113ns | |
Ausschaltzeit | 445ns |
Bruttogewicht6 g
Zertifikate
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* APT85GR120LAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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