APT9F100B
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 5A; Idm: 37A; 337W; TO247-3
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APT9F100B
Symbol TME:
APT9F100B
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Transistor-Typ | N-MOSFET | |
Technologie | POWER MOS 8® | |
Polarisierung | unipolar | |
Drain-Source Spannung | 1kV | |
Drainstrom | 5A | |
Drainstrom im Impuls | 37A | |
Verlustleistung | 337W | |
Gehäuse | TO247-3 | |
Gate-Source Spannung | ±30V | |
Widerstand im Leitungszustand | 1,6Ω | |
Montage | THT | |
Gate-Ladung | 80nC | |
Verpackungs-Art | Tube | |
Kanal-Art | anreicherungs |
Bruttogewicht6 g
Zertifikate
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* APT9F100BAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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