APTC60SKM24CT1G
Modul; SiC-Diode/Transistor; 600V; 70A; SP1; Press-in PCB; 462W
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APTC60SKM24CT1G
Symbol TME:
APTC60SKM24CT1G
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | SiC-Diode/Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 600V | ||
Drainstrom | 70A | ||
Gehäuse | SP1 | ||
Topologie | buck chopper, NTC Thermistor | ||
Elektrische Montage | Press-in PCB | ||
Widerstand im Leitungszustand | 24mΩ | ||
Drainstrom im Impuls | 260A | ||
Verlustleistung | 462W | ||
Technologie | SiC, SJ-MOSFET | ||
Gate-Source Spannung | ±20V | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht80 g
Zertifikate
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke
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* APTC60SKM24CT1GAnzahl Stück (Vielfache: 11)
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Nettopreis für Mengen von 11 st - 78.14 USDBruttopreis für Mengen von 11 st - 92.98 USD
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