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Hersteller	MICROCHIP TECHNOLOGY
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	SiC-Diode/Transistor
Drain-Source Spannung	800V
Drainstrom	32A
Gehäuse	SP4
Topologie	MOSFET Halbbrücke, NTC Thermistor
Elektrische Montage	schraubbar, Steckverbinder FASTON
Widerstand im Leitungszustand	0,1Ω
Drainstrom im Impuls	168A
Verlustleistung	416W
Technologie	CoolMOS™, SiC, SJ-MOSFET
Gate-Source Spannung	±30V
Mechanische Montage	schraubbar

APTC80A10SCTG

Modul; SiC-Diode/Transistor; 800V; 32A; SP4; Idm: 168A; 416W

Technische Daten

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke