APTM100H35FT3G
Modul; Transistor/Transistor; 1kV; 17A; SP3; Press-in PCB; Idm: 88A
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APTM100H35FT3G
Symbol TME:
APTM100H35FT3G
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 1kV | ||
Drainstrom | 17A | ||
Gehäuse | SP3 | ||
Topologie | Brücke H, NTC Thermistor | ||
Elektrische Montage | Press-in PCB | ||
Widerstand im Leitungszustand | 0,42Ω | ||
Drainstrom im Impuls | 88A | ||
Verlustleistung | 390W | ||
Technologie | FREDFET, POWER MOS 7® | ||
Gate-Source Spannung | ±30V | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht110 g
Zertifikate
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* APTM100H35FT3GAnzahl Stück (Vielfache: 8)
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