APTM100UM65SCAVG
Modul; SiC-Diode/Transistor; 1kV; 110A; SP6; schraubbar; Idm: 580A
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APTM100UM65SCAVG
Symbol TME:
APTM100UM65SCAVG
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | SiC-Diode/Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 1kV | ||
Drainstrom | 110A | ||
Gehäuse | SP6 | ||
Topologie | einzelner Transistor + Reihendiode + Paralleldiode | ||
Elektrische Montage | schraubbar | ||
Widerstand im Leitungszustand | 78mΩ | ||
Drainstrom im Impuls | 580A | ||
Verlustleistung | 3,25kW | ||
Technologie | POWER MOS 7®, SiC | ||
Gate-Source Spannung | ±30V | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht300 g
Zertifikate
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* APTM100UM65SCAVGAnzahl Stück (Vielfache: 3)
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