APTM10DSKM19T3G
Modul; Diode/Transistor; 100V; 50A; SP3; Press-in PCB; Idm: 300A
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APTM10DSKM19T3G
Symbol TME:
APTM10DSKM19T3G
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | Diode/Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 100V | ||
Drainstrom | 50A | ||
Gehäuse | SP3 | ||
Topologie | buck chopper x2, NTC Thermistor | ||
Elektrische Montage | Press-in PCB | ||
Widerstand im Leitungszustand | 21mΩ | ||
Drainstrom im Impuls | 300A | ||
Verlustleistung | 208W | ||
Technologie | POWER MOS 5® | ||
Gate-Source Spannung | ±30V | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht110 g
Zertifikate
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke
Andere Produkte von dieser Kategorie ansehen: Transistor drivers MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTM10DSKM19T3GAnzahl Stück (Vielfache: 19)
0 auf Lager bei TME
Nettopreis für Mengen von 19 st - 49.95 USDBruttopreis für Mengen von 19 st - 59.44 USD
Angebot verfügbar für eingeloggte Kunden