APTM10UM01FAG
Modul; einzelner Transistor; 100V; 640A; SP6C; Idm: 2200A; 2,5kW
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APTM10UM01FAG
Symbol TME:
APTM10UM01FAG
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 100V | ||
Drainstrom | 640A | ||
Gehäuse | SP6C | ||
Elektrische Montage | schraubbar, Steckverbinder FASTON | ||
Polarisierung | unipolar | ||
Widerstand im Leitungszustand | 1,6mΩ | ||
Drainstrom im Impuls | 2200A | ||
Verlustleistung | 2,5kW | ||
Technologie | FREDFET, POWER MOS 5® | ||
Gate-Source Spannung | ±30V | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht300 g
Zertifikate
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* APTM10UM01FAGAnzahl Stück (Vielfache: 4)
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