APTM120H29FG
Modul; Transistor/Transistor; 1,2kV; 25A; SP6C; Idm: 136A; 780W
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APTM120H29FG
Symbol TME:
APTM120H29FG
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 1,2kV | ||
Drainstrom | 25A | ||
Gehäuse | SP6C | ||
Topologie | Brücke H | ||
Elektrische Montage | schraubbar, Steckverbinder FASTON | ||
Widerstand im Leitungszustand | 348mΩ | ||
Drainstrom im Impuls | 136A | ||
Verlustleistung | 780W | ||
Technologie | FREDFET, POWER MOS 7® | ||
Gate-Source Spannung | ±30V | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht300 g
Zertifikate
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* APTM120H29FGAnzahl Stück (Vielfache: 4)
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