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Hersteller	MICROCHIP TECHNOLOGY
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	SiC-Diode/Transistor
Drain-Source Spannung	500V
Drainstrom	34A
Gehäuse	SP4
Topologie	H-Brücke + Paralleldioden + Reihendioden, NTC Thermistor
Elektrische Montage	schraubbar, Steckverbinder FASTON
Widerstand im Leitungszustand	90mΩ
Drainstrom im Impuls	184A
Verlustleistung	357W
Technologie	POWER MOS 7®, SiC
Gate-Source Spannung	±30V
Mechanische Montage	schraubbar

APTM50HM75SCTG

Modul; SiC-Diode/Transistor; 500V; 34A; SP4; Idm: 184A; 357W

Technische Daten

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke