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Hersteller	MICROCHIP TECHNOLOGY
Transistor-Typ	N-MOSFET x2
Polarisierung	unipolar
Transistor-Art	RF
Drain-Source Spannung	500V
Drainstrom	10A
Verlustleistung	910W
Gehäuse	T3A-8
Gate-Source Spannung	±30V
Verpackungs-Art	Tube
Frequenz	128MHz
Kanal-Art	verarmungs
Struktur des Halbleiters	gemeinsame Quelle
Eigenschaften von Halbleiterelementen	dual gate
Ausgangsleistung	900W
Elektrische Montage	Löten, Steckverbinder FASTON, THT
Verstärkung	16dB
Wirkungsgrad	55%
Mechanische Montage	schraubbar

ARF475FL

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; RF; 500V; 10A; 910W; T3A-8; 16dB

Technische Daten

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke