NEUHEIT
B2M030120N
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 47A; SOT227B; schraubbar; 223W
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Kennzeichnung des Herstellers:
B2M030120N
Symbol TME:
B2M030120N
Technische Daten
Hersteller | BASiC SEMICONDUCTOR | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 1,2kV | ||
Drainstrom | 47A | ||
Gehäuse | SOT227B | ||
Elektrische Montage | schraubbar | ||
Polarisierung | unipolar | ||
Widerstand im Leitungszustand | 50mΩ | ||
Drainstrom im Impuls | 151A | ||
Verlustleistung | 223W | ||
Technologie | SiC | ||
Kanal-Art | anreicherungs | ||
Gate-Source Spannung | -4...18V | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Eigenschaften von Halbleiterelementen
- integrated anti-parallel diode
- Kelvin Terminal
Bruttogewicht1 g
Zertifikate
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke
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* B2M030120NAnzahl Stück (Vielfache: 150)
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Nettopreis für Mengen von 150 st - 10.91 USDBruttopreis für Mengen von 150 st - 12.98 USD