B2M030120Z
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 68A; Idm: 186A; 454W
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Kennzeichnung des Herstellers:
B2M030120Z
Symbol TME:
B2M030120Z
Technische Daten
Hersteller | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Transistor-Typ | N-MOSFET | |
Technologie | SiC | |
Polarisierung | unipolar | |
Drain-Source Spannung | 1,2kV | |
Drainstrom | 68A | |
Drainstrom im Impuls | 186A | |
Verlustleistung | 454W | |
Gehäuse | TO247-4 | |
Gate-Source Spannung | -4...18V | |
Widerstand im Leitungszustand | 30mΩ | |
Montage | THT | |
Gate-Ladung | 115nC | |
Verpackungs-Art | Tube | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Eigenschaften von Halbleiterelementen | Kelvin Terminal |
Bruttogewicht1 g
Zertifikate
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