B2M035120YP
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 60A; Idm: 190A; 375W
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Kennzeichnung des Herstellers:
B2M035120YP
Symbol TME:
B2M035120YP
Technische Daten
Hersteller | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Transistor-Typ | N-MOSFET | |
Technologie | SiC | |
Polarisierung | unipolar | |
Drain-Source Spannung | 1,2kV | |
Drainstrom | 60A | |
Drainstrom im Impuls | 190A | |
Verlustleistung | 375W | |
Gehäuse | TO247PLUS-4 | |
Gate-Source Spannung | -4...18V | |
Widerstand im Leitungszustand | 35mΩ | |
Montage | THT | |
Gate-Ladung | 115nC | |
Verpackungs-Art | Tube | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Eigenschaften von Halbleiterelementen | Kelvin Terminal |
Bruttogewicht7.215 g
Zertifikate
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