B2M160120R
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 15A; Idm: 39A; 117W
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Kennzeichnung des Herstellers:
B2M160120R
Symbol TME:
B2M160120R
Technische Daten
Hersteller | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Transistor-Typ | N-MOSFET | |
Technologie | SiC | |
Polarisierung | unipolar | |
Drain-Source Spannung | 1,2kV | |
Drainstrom | 15A | |
Drainstrom im Impuls | 39A | |
Verlustleistung | 117W | |
Gehäuse | TO263-7 | |
Gate-Source Spannung | -4...18V | |
Widerstand im Leitungszustand | 0,16Ω | |
Montage | SMD | |
Gate-Ladung | 26nC | |
Verpackungs-Art | Band, Rolle | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Eigenschaften von Halbleiterelementen | Kelvin Terminal |
Bruttogewicht1 g
Zertifikate
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