B2M600170R
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,7kV; 4A; Idm: 10A; 60W
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Kennzeichnung des Herstellers:
B2M600170R
Symbol TME:
B2M600170R
Technische Daten
Hersteller | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Transistor-Typ | N-MOSFET | |
Technologie | SiC | |
Polarisierung | unipolar | |
Drain-Source Spannung | 1,7kV | |
Drainstrom | 4A | |
Drainstrom im Impuls | 10A | |
Verlustleistung | 60W | |
Gehäuse | TO263-7 | |
Gate-Source Spannung | -4...18V | |
Widerstand im Leitungszustand | 0,6Ω | |
Montage | SMD | |
Gate-Ladung | 14nC | |
Verpackungs-Art | Band, Rolle | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Eigenschaften von Halbleiterelementen | Kelvin Terminal |
Bruttogewicht1 g
Zertifikate
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke
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* B2M600170RAnzahl Stück (Vielfache: 800)
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Nettopreis für Mengen von 800 st - 1.98 EURBruttopreis für Mengen von 800 st - 2.35 EUR