B3M040065H
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 47A; Idm: 108A; 250W
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Kennzeichnung des Herstellers:
B3M040065H
Symbol TME:
B3M040065H
Technische Daten
Hersteller | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Transistor-Typ | N-MOSFET | |
Technologie | SiC | |
Polarisierung | unipolar | |
Drain-Source Spannung | 650V | |
Drainstrom | 47A | |
Drainstrom im Impuls | 108A | |
Verlustleistung | 250W | |
Gehäuse | TO247-3 | |
Gate-Source Spannung | -5...18V | |
Widerstand im Leitungszustand | 40mΩ | |
Montage | THT | |
Gate-Ladung | 60nC | |
Verpackungs-Art | Tube | |
Kanal-Art | anreicherungs |
Bruttogewicht1 g
Zertifikate
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