B3M040065L
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 45A; Idm: 106A; 230W; TOLL
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Kennzeichnung des Herstellers:
B3M040065L
Symbol TME:
B3M040065L
Technische Daten
Hersteller | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Transistor-Typ | N-MOSFET | |
Technologie | SiC | |
Polarisierung | unipolar | |
Drain-Source Spannung | 650V | |
Drainstrom | 45A | |
Drainstrom im Impuls | 106A | |
Verlustleistung | 230W | |
Gehäuse | TOLL | |
Gate-Source Spannung | -4...18V | |
Widerstand im Leitungszustand | 40mΩ | |
Montage | SMD | |
Gate-Ladung | 60nC | |
Verpackungs-Art | Band, Rolle | |
Kanal-Art | anreicherungs |
Bruttogewicht1 g
Zertifikate
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* B3M040065LAnzahl Stück (Vielfache: 1 800)
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