B3M040120H
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 45A; Idm: 124A; 312W
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Kennzeichnung des Herstellers:
B3M040120H
Symbol TME:
B3M040120H
Technische Daten
Hersteller | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Transistor-Typ | N-MOSFET | |
Technologie | SiC | |
Polarisierung | unipolar | |
Drain-Source Spannung | 1,2kV | |
Drainstrom | 45A | |
Drainstrom im Impuls | 124A | |
Verlustleistung | 312W | |
Gehäuse | TO247-3 | |
Gate-Source Spannung | -4...18V | |
Widerstand im Leitungszustand | 40mΩ | |
Montage | THT | |
Gate-Ladung | 85nC | |
Verpackungs-Art | Tube | |
Kanal-Art | anreicherungs |
Bruttogewicht6.12 g
Zertifikate
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* B3M040120HAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 30 st