BFU725F/N1,115

Name: NXP BFU725F/N1.115
Brand: NXP
SKU: BFU725F/N1.115
Availability: InStock

Transistor: NPN; bipolar; RF; 2,8V; 40mA; 136mW; SOT343F

Hersteller: NXP

Kennzeichnung des Herstellers:

BFU725F/N1,115

Symbol TME:

BFU725F/N1.115

BFU725F/N1,115

Nettopreis für Mengen von 1 st - 0.77 EURBruttopreis für Mengen von 1 st - 0.92 EUR

Nettopreis für Mengen von 10 st - 0.50 EURBruttopreis für Mengen von 10 st - 0.60 EUR

Nettopreis für Mengen von 50 st - 0.35 EURBruttopreis für Mengen von 50 st - 0.42 EUR

Nettopreis für Mengen von 100 st - 0.30 EURBruttopreis für Mengen von 100 st - 0.36 EUR

Nettopreis für Mengen von 500 st - 0.22 EURBruttopreis für Mengen von 500 st - 0.27 EUR

Nettopreis für Mengen von 1000 st - 0.21 EURBruttopreis für Mengen von 1000 st - 0.24 EUR

Nettopreis für Mengen von 3000 st - 0.20 EURBruttopreis für Mengen von 3000 st - 0.23 EUR

Anzahl Stück (Vielfache: 1)

Mögliche Mindestbestellmenge: 1.
Vielfache: 1.

Verpackungsmethode durch den HerstellerRolle = 3 000 st

Hersteller	NXP
Transistor-Typ	NPN
Polarisierung	bipolar
Transistor-Art	RF
Kollektor-Emitter-Spannung	2,8V
Kollektor-Emitter-Strom	40mA
Verlustleistung	136mW
Gehäuse	SOT343F
Transistorverstärkung	160...400
Montage	SMD
Verpackungs-Art	Band, Rolle
Frequenz	110GHz
Eigenschaften von Halbleiterelementen	silicon germanium transistor (SiGe)