BFU725F/N1,115

Name: NXP BFU725F/N1.115
Brand: NXP
SKU: BFU725F/N1.115
Availability: InStock

Transistor: NPN; bipolar; RF; 2,8V; 40mA; 136mW; SOT343F

Hersteller: NXP

Kennzeichnung des Herstellers:

BFU725F/N1,115

Symbol TME:

BFU725F/N1.115

BFU725F/N1,115

Nettopreis für Mengen von 1 st - 0.90 USDBruttopreis für Mengen von 1 st - 1.07 USD

Nettopreis für Mengen von 10 st - 0.58 USDBruttopreis für Mengen von 10 st - 0.69 USD

Nettopreis für Mengen von 50 st - 0.41 USDBruttopreis für Mengen von 50 st - 0.49 USD

Nettopreis für Mengen von 100 st - 0.35 USDBruttopreis für Mengen von 100 st - 0.42 USD

Nettopreis für Mengen von 500 st - 0.26 USDBruttopreis für Mengen von 500 st - 0.31 USD

Nettopreis für Mengen von 1000 st - 0.24 USDBruttopreis für Mengen von 1000 st - 0.28 USD

Nettopreis für Mengen von 3000 st - 0.23 USDBruttopreis für Mengen von 3000 st - 0.27 USD

Anzahl Stück (Vielfache: 1)

Verpackungsmethode durch den HerstellerRolle = 3 000 st

Hersteller	NXP
Transistor-Typ	NPN
Polarisierung	bipolar
Transistor-Art	RF
Kollektor-Emitter-Spannung	2,8V
Kollektor-Emitter-Strom	40mA
Verlustleistung	136mW
Gehäuse	SOT343F
Transistorverstärkung	160...400
Montage	SMD
Verpackungs-Art	Band, Rolle
Frequenz	110GHz
Eigenschaften von Halbleiterelementen	silicon germanium transistor (SiGe)