BGH75N120HF1
Transistor: IGBT; SiC SBD; 1,2kV; 75A; 568W; TO247-3
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Kennzeichnung des Herstellers:
BGH75N120HF1
Symbol TME:
BGH75N120HF1
Technische Daten
Hersteller | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Transistor-Typ | IGBT | |
Technologie | Field Stop, SiC SBD, Trench | |
Kollektor-Emitter-Spannung | 1,2kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 75A | |
Verlustleistung | 568W | |
Gehäuse | TO247-3 | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 200A | |
Montage | THT | |
Gate-Ladung | 398nC | |
Verpackungs-Art | Tube | |
Anschaltzeit | 140ns | |
Ausschaltzeit | 443ns | |
Eigenschaften von Halbleiterelementen | integrated anti-parallel diode |
Bruttogewicht6.217 g
Zertifikate
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke
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* BGH75N120HF1Anzahl Stück (Vielfache: 1)
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 30 st