BGH75N65HF1
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-3
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Kennzeichnung des Herstellers:
BGH75N65HF1
Symbol TME:
BGH75N65HF1
Technische Daten
Hersteller | BASiC SEMICONDUCTOR | ||
Transistor-Typ | IGBT | ||
Technologie | Field Stop, SiC SBD, Trench | ||
Kollektor-Emitter-Spannung | 650V | ||
Kollektor-Emitter-Strom | 75A | ||
Verlustleistung | 405W | ||
Gehäuse | TO247-3 | ||
Gate - Emitter Spannung | ±20V | ||
Kollektorstrom im Impuls | 300A | ||
Montage | THT | ||
Gate-Ladung | 444nC | ||
Verpackungs-Art | Tube | ||
Anschaltzeit | 104ns | ||
Ausschaltzeit | 376ns | ||
Eigenschaften von Halbleiterelementen | integrated anti-parallel diode |
Bruttogewicht5 g
Zertifikate
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke
Andere Produkte von dieser Kategorie ansehen: IGBT THT-Transistoren BASiC SEMICONDUCTOR,
* BGH75N65HF1Anzahl Stück (Vielfache: 1)
0 auf Lager bei TME
Nettopreis für Mengen von 1 st - 10.31 EURBruttopreis für Mengen von 1 st - 12.26 EUR
Nettopreis für Mengen von 5 st - 9.27 EURBruttopreis für Mengen von 5 st - 11.02 EUR
Nettopreis für Mengen von 30 st - 8.19 EURBruttopreis für Mengen von 30 st - 9.74 EUR
Nettopreis für Mengen von 150 st - 6.86 EURBruttopreis für Mengen von 150 st - 8.17 EUR
Nettopreis für Mengen von 600 st - 6.79 EURBruttopreis für Mengen von 600 st - 8.07 EUR