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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Hersteller | TEXAS INSTRUMENTS | |
Transistor-Typ | N-MOSFET x2 | |
Technologie | NexFET™ | |
Polarisierung | unipolar | |
Drain-Source Spannung | 20V | |
Verlustleistung | 1,7W | |
Gehäuse | PICOSTAR4 | |
Gate-Source Spannung | ±10V | |
Widerstand im Leitungszustand | 36mΩ | |
Montage | SMD | |
Verpackungs-Art | Band, Rolle | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Struktur des Halbleiters | gemeinsamer Drain | |
Ausführung | ESD |