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Hersteller	TEXAS INSTRUMENTS
Transistor-Typ	N-MOSFET x2
Polarisierung	unipolar
Drain-Source Spannung	30V
Drainstrom	14A
Verlustleistung	2,5W
Widerstand im Leitungszustand	4,6mΩ
Montage	SMD
Gate-Ladung	40nC
Kanal-Art	anreicherungs
Struktur des Halbleiters	gemeinsamer Drain

CSD87501LT

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 14A; 2,5W

Technische Daten