DAMI160N100
Modul; einzelner Transistor; 100V; 120A; SOT227B; schraubbar; 380W
Hersteller: DACO Semiconductor
Kennzeichnung des Herstellers:
DAMI160N100
Symbol TME:
DAMI160N100-DCO
Technische Daten
Hersteller | DACO Semiconductor | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | |
Drain-Source Spannung | 100V | |
Drainstrom | 120A | |
Gehäuse | SOT227B | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Polarisierung | unipolar | |
Widerstand im Leitungszustand | 4mΩ | |
Drainstrom im Impuls | 640A | |
Verlustleistung | 380W | |
Gate-Source Spannung | -20...20V | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht36 g
Zertifikate
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* DAMI160N100Anzahl Stück (Vielfache: 1)
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