DDB6U180N16RRB11BP
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,6kV
NEUHEIT
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Kennzeichnung des Herstellers:
DDB6U180N16RRB11BP
Symbol TME:
DDB6U180N16RRB11BP
Technische Daten
Hersteller | INFINEON TECHNOLOGIES | |
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | |
Struktur des Halbleiters | Diode/Transistor | |
Topologie | 3-Phasendiodenbrücke, boost chopper, NTC Thermistor | |
Rückspannung max. | 1,6kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 100A | |
Elektrische Montage | Press-in PCB | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 200A | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht1 g
Zertifikate
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* DDB6U180N16RRB11BPAnzahl Stück (Vielfache: 15)
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Nettopreis für Mengen von 15 st - 64.80 EURBruttopreis für Mengen von 15 st - 77.12 EUR