DDB6U75N16W1RB11BO
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,6kV; Ic: 50A
NEUHEIT
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Kennzeichnung des Herstellers:
DDB6U75N16W1RB11BO
Symbol TME:
DDB6U75N16W1RB11BO
Technische Daten
Hersteller | INFINEON TECHNOLOGIES | |
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | |
Struktur des Halbleiters | Diode/Transistor | |
Topologie | 3-Phasendiodenbrücke, boost chopper, NTC Thermistor | |
Rückspannung max. | 1,6kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 50A | |
Elektrische Montage | Press-in PCB | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 100A | |
Verlustleistung | 335W | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht1 g
Zertifikate
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* DDB6U75N16W1RB11BOAnzahl Stück (Vielfache: 24)
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