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DPJ50XS1800NA

Modul: Diodenl; doppelt unabhängig; 1,8kV; If: 25Ax2; SOT227B; 50A

NEUHEIT

Hersteller: IXYS

Kennzeichnung des Herstellers:
DPJ50XS1800NA
Symbol TME:
DPJ50XS1800NA

Technische Daten

Hersteller
IXYS
Typ des Halbleitermoduls
Diodenl
Struktur des Halbleiters
doppelt unabhängig
Rückspannung max.
1,8kV
Vorwärtsstrom
25A x2
Gehäuse
SOT227B
Strom im max. Impuls
250A
Elektrische Montage
schraubbar
Vorwärtsstrom max.
50A
Mechanische Montage
schraubbar
Verpackungs-Art
Tube
Technologie
FRED
Bereitschaftszeit
30ns
Bruttogewicht1 g
Zertifikate
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DPJ50XS1800NA
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