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Hersteller | STMicroelectronics | |
Dioden-Typ | TVS Array | |
Durchbruchspannung | 6,1V | |
Strom im max. Impuls | 3A | |
Verlustleistung pro Impuls max. | 30W | |
Struktur des Halbleiters | gemeinsame Anode | |
Ausführung | ESD | |
Montage | SMD | |
Gehäuse | MicroQFN | |
Leck strom | 70nA | |
Anzahl Kanäle | 5 | |
Verpackungs-Art | Band, Rolle |