FDC6306P

Name: ONSEMI FDC6306P
Brand: ONSEMI
SKU: FDC6306P
Availability: OutOfStock

Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -1,9A; 0,96W; SuperSOT-6

Hersteller: ONSEMI

Kennzeichnung des Herstellers:

FDC6306P

Symbol TME:

FDC6306P

Nettopreis für Mengen von 1 st - 0.79 EURBruttopreis für Mengen von 1 st - 0.94 EUR

Nettopreis für Mengen von 10 st - 0.50 EURBruttopreis für Mengen von 10 st - 0.59 EUR

Nettopreis für Mengen von 50 st - 0.36 EURBruttopreis für Mengen von 50 st - 0.42 EUR

Nettopreis für Mengen von 100 st - 0.31 EURBruttopreis für Mengen von 100 st - 0.37 EUR

Nettopreis für Mengen von 250 st - 0.27 EURBruttopreis für Mengen von 250 st - 0.32 EUR

Nettopreis für Mengen von 500 st - 0.24 EURBruttopreis für Mengen von 500 st - 0.29 EUR

Nettopreis für Mengen von 1000 st - 0.22 EURBruttopreis für Mengen von 1000 st - 0.26 EUR

Nettopreis für Mengen von 1500 st - 0.21 EURBruttopreis für Mengen von 1500 st - 0.25 EUR

Nettopreis für Mengen von 3000 st - 0.20 EURBruttopreis für Mengen von 3000 st - 0.24 EUR

Anzahl Stück (Vielfache: 1)

Mögliche Mindestbestellmenge: 1.
Vielfache: 1.

Verpackungsmethode durch den HerstellerRolle = 3 000 st

Hersteller	ONSEMI
Transistor-Typ	P-MOSFET x2
Technologie	PowerTrench®
Polarisierung	unipolar
Drain-Source Spannung	-20V
Drainstrom	-1,9A
Verlustleistung	0,96W
Gehäuse	SuperSOT-6
Gate-Source Spannung	±8V
Widerstand im Leitungszustand	0,27Ω
Montage	SMD
Gate-Ladung	4,2nC
Verpackungs-Art	Band, Rolle
Kanal-Art	anreicherungs