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Hersteller	ONSEMI
Transistor-Typ	N/P-MOSFET
Polarisierung	unipolar
Transistor-Art	komplementäres Paar
Drain-Source Spannung	25/-25V
Drainstrom	0,22/-0,12A
Verlustleistung	0,9W
Gehäuse	SuperSOT-6
Gate-Source Spannung	±8V
Widerstand im Leitungszustand	9/10Ω
Montage	SMD
Verpackungs-Art	Band, Rolle
Kanal-Art	anreicherungs

FDC6320C

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; komplementäres Paar; 25/-25V

Technische Daten

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