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Hersteller	ONSEMI
Transistor-Typ	N-MOSFET x2
Polarisierung	unipolar
Drain-Source Spannung	100V
Drainstrom	1,2A
Drainstrom im Impuls	5A
Verlustleistung	0,96W
Gehäuse	SuperSOT-6
Gate-Source Spannung	±20V
Widerstand im Leitungszustand	0,6Ω
Montage	SMD
Gate-Ladung	2nC
Verpackungs-Art	Band, Rolle
Kanal-Art	anreicherungs

FDC8602

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 1,2A; Idm: 5A; 960mW

Technische Daten

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