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FDMC8200

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 18/18A; 1,9/2,2W


Hersteller: ONSEMI

Kennzeichnung des Herstellers:
FDMC8200
Symbol TME:
FDMC8200

Technische Daten

Hersteller
ONSEMI
Transistor-Typ
N-MOSFET x2
Polarisierung
unipolar
Drain-Source Spannung
30/30V
Drainstrom
18/18A
Verlustleistung
1,9/2,2W
Gehäuse
Power33
Gate-Source Spannung
±20/±20V
Widerstand im Leitungszustand
32/13,5mΩ
Montage
SMD
Gate-Ladung
10/22nC
Verpackungs-Art
Band, Rolle
Kanal-Art
anreicherungs
Bruttogewicht0.01 g
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