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FDMD8280

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 40A; Idm: 160A; 38W; PQFN8


Hersteller: ONSEMI

Kennzeichnung des Herstellers:
FDMD8280
Symbol TME:
FDMD8280

Technische Daten

Hersteller
ONSEMI
Transistor-Typ
N-MOSFET x2
Polarisierung
unipolar
Drain-Source Spannung
80V
Drainstrom
40A
Drainstrom im Impuls
160A
Verlustleistung
38W
Gehäuse
PQFN8
Gate-Source Spannung
±20V
Widerstand im Leitungszustand
12,4mΩ
Montage
SMD
Gate-Ladung
44nC
Verpackungs-Art
Band, Rolle
Kanal-Art
anreicherungs
Bruttogewicht0.01 g
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