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FDMS1D2N03DSD

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 54/126A; 26/42W; PQFN8

Produktfamilie

Hersteller: ONSEMI

Kennzeichnung des Herstellers:
FDMS1D2N03DSD
Symbol TME:
FDMS1D2N03DSD

Technische Daten

Hersteller
ONSEMI
Transistor-Typ
N-MOSFET x2
Polarisierung
unipolar
Drain-Source Spannung
30/30V
Drainstrom
54/126A
Verlustleistung
26/42W
Gehäuse
PQFN8
Gate-Source Spannung
±20/±20V
Widerstand im Leitungszustand
4,9/1,6mΩ
Montage
SMD
Gate-Ladung
33/117nC
Verpackungs-Art
Band, Rolle
Kanal-Art
anreicherungs
Bruttogewicht0.01 g
Zertifikate

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