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Hersteller	ONSEMI
Transistor-Typ	N-MOSFET x2
Polarisierung	unipolar
Drain-Source Spannung	30/30V
Drainstrom	30/30A
Verlustleistung	2,2/2,5W
Gehäuse	Power56
Gate-Source Spannung	±20/±20V
Widerstand im Leitungszustand	12/7,2mΩ
Montage	SMD
Gate-Ladung	28/46nC
Verpackungs-Art	Band, Rolle
Kanal-Art	anreicherungs

FDMS7602S

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/30A; 2,2/2,5W

Technische Daten

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