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FDPC8012S

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 35/88A; 1,6/2W; PQFN8

Produktfamilie

Hersteller: ONSEMI

Kennzeichnung des Herstellers:
FDPC8012S
Symbol TME:
FDPC8012S

Technische Daten

Hersteller
ONSEMI
Transistor-Typ
N-MOSFET x2
Polarisierung
unipolar
Drain-Source Spannung
25V
Drainstrom
35/88A
Verlustleistung
1,6/2W
Gehäuse
PQFN8
Widerstand im Leitungszustand
7/2,2mΩ
Montage
SMD
Gate-Ladung
8/25nC
Verpackungs-Art
Band, Rolle
Kanal-Art
anreicherungs
Struktur des Halbleiters
asymmetrisch
Bruttogewicht0.01 g
Zertifikate
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FDPC8012S
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