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Hersteller	ONSEMI
Transistor-Typ	N-MOSFET x2
Polarisierung	unipolar
Drain-Source Spannung	30V
Drainstrom	20/55A
Verlustleistung	1,6/2W
Gehäuse	PQFN8
Gate-Source Spannung	±20V
Widerstand im Leitungszustand	6,4/1,9mΩ
Montage	SMD
Gate-Ladung	13/44nC
Verpackungs-Art	Band, Rolle
Kanal-Art	anreicherungs
Struktur des Halbleiters	asymmetrisch

FDPC8013S

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 20/55A; 1,6/2W; PQFN8

Technische Daten