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Hersteller	ONSEMI
Transistor-Typ	N-MOSFET x2
Polarisierung	unipolar
Drain-Source Spannung	25V
Drainstrom	60/100A
Verlustleistung	21/42W
Gehäuse	PQFN8
Gate-Source Spannung	±12V
Widerstand im Leitungszustand	3,8/1,4mΩ
Montage	SMD
Gate-Ladung	25/67nC
Verpackungs-Art	Band, Rolle
Kanal-Art	anreicherungs
Struktur des Halbleiters	asymmetrisch

FDPC8016S

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 60/100A; 21/42W; PQFN8

Technische Daten