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Hersteller	ONSEMI
Transistor-Typ	P-MOSFET x2
Technologie	PowerTrench®
Polarisierung	unipolar
Drain-Source Spannung	-20V
Drainstrom	-6A
Verlustleistung	1,6W
Gehäuse	SO8
Gate-Source Spannung	±8V
Widerstand im Leitungszustand	48mΩ
Montage	SMD
Gate-Ladung	31nC
Verpackungs-Art	Band, Rolle
Kanal-Art	anreicherungs

FDS6875

Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -6A; 1,6W; SO8

Technische Daten