+1 500 000 Produkte im Angebot

7000 Pakete jeden Tag

+300 000 Kunden aus 150 Ländern

Quick Buy Favoriten
Warenkorb

FDS6898A

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9,4A; 2W; SO8


Hersteller: ONSEMI

Kennzeichnung des Herstellers:
FDS6898A
Symbol TME:
FDS6898A

Technische Daten

Hersteller
ONSEMI
Transistor-Typ
N-MOSFET x2
Technologie
PowerTrench®
Polarisierung
unipolar
Drain-Source Spannung
20V
Drainstrom
9,4A
Verlustleistung
2W
Gehäuse
SO8
Gate-Source Spannung
±12V
Widerstand im Leitungszustand
21mΩ
Montage
SMD
Gate-Ladung
23nC
Verpackungs-Art
Band, Rolle
Kanal-Art
anreicherungs
Bruttogewicht0.129 g
Zertifikate
Andere Produkte von dieser Kategorie ansehen: Multikanaltransistoren ONSEMI,
*
FDS6898A
1624 auf Lager bei TME
Nettopreis für Mengen von 1 st - 1.00 EURBruttopreis für Mengen von 1 st - 1.19 EUR
Nettopreis für Mengen von 5 st - 0.83 EURBruttopreis für Mengen von 5 st - 0.99 EUR
Nettopreis für Mengen von 10 st - 0.76 EURBruttopreis für Mengen von 10 st - 0.91 EUR
Nettopreis für Mengen von 50 st - 0.62 EURBruttopreis für Mengen von 50 st - 0.74 EUR
Nettopreis für Mengen von 100 st - 0.57 EURBruttopreis für Mengen von 100 st - 0.68 EUR
Nettopreis für Mengen von 500 st - 0.53 EURBruttopreis für Mengen von 500 st - 0.62 EUR
Anzahl Stück (Vielfache: 1)
Mögliche Mindestbestellmenge: 1.
Vielfache: 1.
Das Produkt ist nur verfügbar, solange der Vorrat reicht
Verpackungsmethode durch den HerstellerRolle = 2 500 st