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Hersteller	ONSEMI
Transistor-Typ	N-MOSFET x2
Technologie	PowerTrench®
Polarisierung	unipolar
Drain-Source Spannung	30V
Drainstrom	6A
Verlustleistung	1,6W
Gehäuse	SO8
Gate-Source Spannung	±20V
Widerstand im Leitungszustand	28mΩ
Montage	SMD
Gate-Ladung	8,1nC
Verpackungs-Art	Band, Rolle
Kanal-Art	anreicherungs
Eigenschaften von Halbleiterelementen	logic level

FDS6912A

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6A; 1,6W; SO8

Technische Daten