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FDS89161

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 2,7A; 31W; SO8

Unterlagen EN
Produktfamilie

Hersteller: ONSEMI

Kennzeichnung des Herstellers:
FDS89161
Symbol TME:
FDS89161

Technische Daten

Hersteller
ONSEMI
Transistor-Typ
N-MOSFET x2
Technologie
PowerTrench®
Polarisierung
unipolar
Drain-Source Spannung
100V
Drainstrom
2,7A
Verlustleistung
31W
Gehäuse
SO8
Gate-Source Spannung
±20V
Widerstand im Leitungszustand
176mΩ
Montage
SMD
Gate-Ladung
4,1nC
Verpackungs-Art
Band, Rolle
Kanal-Art
anreicherungs
Bruttogewicht0.113 g
Zertifikate
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FDS89161
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRolle = 2 500 st