FDS8949

Name: ONSEMI FDS8949
Brand: ONSEMI
SKU: FDS8949
Availability: InStock

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; 2W; SO8

Hersteller: ONSEMI

Kennzeichnung des Herstellers:

FDS8949

Symbol TME:

FDS8949

Nettopreis für Mengen von 1 st - 1.04 GBPBruttopreis für Mengen von 1 st - 1.24 GBP

Nettopreis für Mengen von 5 st - 0.78 GBPBruttopreis für Mengen von 5 st - 0.92 GBP

Nettopreis für Mengen von 10 st - 0.69 GBPBruttopreis für Mengen von 10 st - 0.82 GBP

Nettopreis für Mengen von 50 st - 0.52 GBPBruttopreis für Mengen von 50 st - 0.61 GBP

Nettopreis für Mengen von 100 st - 0.46 GBPBruttopreis für Mengen von 100 st - 0.54 GBP

Nettopreis für Mengen von 500 st - 0.35 GBPBruttopreis für Mengen von 500 st - 0.41 GBP

Nettopreis für Mengen von 1000 st - 0.31 GBPBruttopreis für Mengen von 1000 st - 0.37 GBP

Nettopreis für Mengen von 2500 st - 0.30 GBPBruttopreis für Mengen von 2500 st - 0.36 GBP

Anzahl Stück (Vielfache: 1)

Verpackungsmethode durch den HerstellerRolle = 2 500 st

Hersteller	ONSEMI
Transistor-Typ	N-MOSFET x2
Technologie	PowerTrench®
Polarisierung	unipolar
Drain-Source Spannung	40V
Drainstrom	6A
Verlustleistung	2W
Gehäuse	SO8
Gate-Source Spannung	±20V
Widerstand im Leitungszustand	43mΩ
Montage	SMD
Gate-Ladung	11nC
Verpackungs-Art	Band, Rolle
Kanal-Art	anreicherungs