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FDS8949

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; 2W; SO8

Unterlagen EN
Produktfamilie

Hersteller: ONSEMI

Kennzeichnung des Herstellers:
FDS8949
Symbol TME:
FDS8949

Technische Daten

Hersteller
ONSEMI
Transistor-Typ
N-MOSFET x2
Technologie
PowerTrench®
Polarisierung
unipolar
Drain-Source Spannung
40V
Drainstrom
6A
Verlustleistung
2W
Gehäuse
SO8
Gate-Source Spannung
±20V
Widerstand im Leitungszustand
43mΩ
Montage
SMD
Gate-Ladung
11nC
Verpackungs-Art
Band, Rolle
Kanal-Art
anreicherungs
Bruttogewicht0.141 g
Zertifikate
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FDS8949
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Anzahl Stück (Vielfache: 1)
Verpackungsmethode durch den HerstellerRolle = 2 500 st