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Hersteller	ONSEMI
Transistor-Typ	N/P-MOSFET
Technologie	PowerTrench®
Polarisierung	unipolar
Transistor-Art	komplementäres Paar
Drain-Source Spannung	30/-30V
Drainstrom	7/-5A
Verlustleistung	1,6W
Gehäuse	SO8
Gate-Source Spannung	±20V
Widerstand im Leitungszustand	40/80mΩ
Montage	SMD
Verpackungs-Art	Band, Rolle
Kanal-Art	anreicherungs

FDS8958A

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; komplementäres Paar; 30/-30V

Technische Daten