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FDS8984

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 7A; 1,6W; SO8

Unterlagen EN
Produktfamilie

Hersteller: ONSEMI

Kennzeichnung des Herstellers:
FDS8984
Symbol TME:
FDS8984

Technische Daten

Hersteller
ONSEMI
Transistor-Typ
N-MOSFET x2
Technologie
PowerTrench®
Polarisierung
unipolar
Drain-Source Spannung
30V
Drainstrom
7A
Verlustleistung
1,6W
Gehäuse
SO8
Gate-Source Spannung
±20V
Widerstand im Leitungszustand
32mΩ
Montage
SMD
Gate-Ladung
13nC
Verpackungs-Art
Band, Rolle
Kanal-Art
anreicherungs
Bruttogewicht0.105 g
Zertifikate
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FDS8984
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRolle = 2 500 st