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FDS9958

Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -2,9A; 2W; SO8

Unterlagen EN
Produktfamilie

Hersteller: ONSEMI

Kennzeichnung des Herstellers:
FDS9958
Symbol TME:
FDS9958

Technische Daten

Hersteller
ONSEMI
Transistor-Typ
P-MOSFET x2
Technologie
PowerTrench®
Polarisierung
unipolar
Drain-Source Spannung
-60V
Drainstrom
-2,9A
Verlustleistung
2W
Gehäuse
SO8
Gate-Source Spannung
±20V
Widerstand im Leitungszustand
0,19Ω
Montage
SMD
Gate-Ladung
23nC
Verpackungs-Art
Band, Rolle
Kanal-Art
anreicherungs
Bruttogewicht0.132 g
Zertifikate
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FDS9958
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRolle = 2 500 st