FF900R12IE4
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Kennzeichnung des Herstellers:
FF900R12IE4
Symbol TME:
FF900R12IE4
Technische Daten
Hersteller | INFINEON TECHNOLOGIES | |
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | |
Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor | |
Topologie | IGBT Halbbrücke, NTC Thermistor | |
Rückspannung max. | 1,2kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 900A | |
Gehäuse | AG-PRIME2-1 | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 1,8kA | |
Verlustleistung | 5,1kW | |
Technologie | PrimePACK™ 2 | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht825 g
Zertifikate
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* FF900R12IE4Anzahl Stück (Vielfache: 1)
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